决议，这两者之间的联系称为二极管的伏安特性。用于定量描绘这两者联系的曲线称为伏安特性曲线可见，二极管的导电特性可分为正向特性和反向特性两部分。

  当二极管两头所加的正向电压由零逐步增大时，开始时正向电流很小，简直为零，二极管呈现很大的

  ，这个区域称为死区。硅二极管死区电压约为0. 5V;锗二极管死区电压约0. 2V。在实际使用中，当二极管正偏电压小于死区电压时，视为其正向电流为零的状况。外加电压超越死区电压后，正向电流渐渐的呈现，直到等于导通电压，正向电流敏捷添加，这时二极管处于正导游通状况。硅管的导通电压为0.6-0. 7V，锗管的导通电压为0.2-0.3V.

  当给二极管加反向电压时，构成的反向电流很小，并且在很大范围内根本不随反向电压的改变而改变，故这个区域称为反向截止区。反向截止时经过的电流称为反向饱和电流，一般硅管有几微安到几十微安；锗管有几十微安到几百微安。这个电流是衡量二极管质量好坏的重要

  ，其值越小，二极管质量越好。正常的情况下可疏忽反向饱和电流，以为二极管反向不导通。假如反向电压不断增大到必定值时，反向电流会忽然增大，这种现象称为反向击穿，这时二极管两头所加的电压叫做反向击穿电压。一般二极管正常使用时，是不允许呈现这样一种现象的。

  这种二极管正如标题所说的那样，一般被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中心

  电路的检波和整流。这种类型的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗资料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和分散型。

  正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因而其专长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗资料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等归于这类二极管。

  它与高反向电阻型相反。其反向特性虽然很差，但使正向电阻变得满足小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能取得更优秀的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流功率较高。

  结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制作半导体IC的资料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体

  主要是依托PN结而作业的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的

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