模型是许多教科书的开篇模型，但估量细心消化过的同志不多，其实它关于了解和剖析从太阳电池到组件十分有价值，可以说太阳电池或组件的外特性都可以用二极管模型描绘和解说。记住八年前开发IBC电池，遇到一个技能问题停顿了好久，什么EL、PL、Sinton等测验手法用上了仍是茫无头绪，其时请的参谋F.Granek（Fraunhofer前期IBC电池的研究者，很好的教师当年做了许多辅导）也被这样的一个问题所困扰找不出终究的原因。之后有一段时刻每次测验完电池功能曲线就和老板在回公司的车上脑筋风暴评论各种可能性，最终是就从剖析二极管模型中‘彻悟’找到问题原因的，那一段时刻算是把这个二极管模型彻彻底底想了解了。

  为资料的能带宽度（硅资料约为1.12eV），单位为J（1eV = (1.602 177 33±0.000 000 49)×10-19J）；关于包含硅在内大多数半导体，因为晶格的热膨胀，禁带宽度Eg随温度的添加而减小，硅的禁带宽度与温度的联系在SPICE中的核算方程如下式。在T=300K时，使用该方程得到的Eg=1.115eV。

  Rs，二极管电路串联等效电阻，辐照度/温度对串联等效电阻Rs影响可由下式表达

  Rp，二极管电路并联电阻,辐照度/温度对并联等效电阻Rsh影响可由下式表达

  依据以上模型，可以用Matlab中的Simulink模块构建了一个太阳电池仿真模型（如下图），剖析不同参数下太阳电池的输出特性：

  依据上图中所设置参数，可得到如下太阳电池模仿输出特性（横轴‘电压’，纵轴‘电流’）。通过细心修正模型中的各种参数就可以剖析各式各样的要素对太阳电池输出特性的影响。

  本帖最终由 luna 于 2011-3-11 12:29 修改 晶体硅

  先进技能译丛ISBN: 60本书从半导体物理的基本概念动身，以pn结为根底全面介绍了了解

  作业原理、制作程序，包含半导体资料。在不同的资料和制作工艺程序下，会发生不同结构的

  电流的方向是界说在器材内从P型流向n型，而电压的正负值，则是界说为P型端电势减去n型端电势。因而 若遵从此界说，

  地说，便是每小时能处理多少芯片(wafer/hour)。例如，用离子注入法(ionimplantation) 也能像分散法构成 p - n

  ，假定一切的入射光子，只需其能量大于半导体的能隙，都将被吸收而发生一个电子-空穴对。发生的电子和空穴又遵从抱负 p - n

  离子化发生额定电子 - 空穴对几率添加、和声子辅佐光吸收几率添加。一般的 p-n

  器材若加上较大的偏压 ( 正向或反向 )就可形成热载流子的条件。当然，这样的技能要用在 p-n

  压降为零,相当于开关的闭合。当反向偏置时,其电流为零,阻抗为无量,相当于开关的断开。具有这种抱负特性的

  分类介绍 /

  为完成光伏电站、光伏户用体系、光伏水泵体系、“风-光-柴-蓄”等各种触及

  和动态模仿实验‚以电子学理论为根底‚评论了满意工程使用精度且便于运算的

  【RISC-V敞开架构规划之道阅览体会】先睹为快-学习RISC-V的案头好书