OA90：正向工作电压（Vf）为0.4V，最大反向耐压（Vr）为20V，最大连续电流（If）为15mA。

  OA91：正向工作电压（Vf）为0.4V，最大反向耐压（Vr）为20V，最大连续电流（If）为30mA。

  OA95：正向工作电压（Vf）为0.5V，最大反向耐压（Vr）为15V，最大连续电流（If）为50mA。

  请注意，具体的锗二极管参数可能会因不同的制造商和型号而有所差异。在选择和使用锗二极管时，建议参考具体型号的规格表，并根据应用需求选择正真适合的参数。

  材料：硅管使用硅（Silicon）作为半导体材料，而锗管使用锗（Germanium）作为半导体材料。这两种材料具备不同的物理特性和电学性能。

  电压降：硅管的正向电压降（Forward Voltage Drop）一般为0.6V至0.7V，而锗管的正向电压降则较低，通常约为0.2V至0.3V。这在某种程度上预示着在相同电流下，锗管的电压降较小。

  温度特性：硅管具备比较好的耐热性和温度特性，其电特性相对来说比较稳定，适用于高温环境。而锗管的温度特性相对较差，其电阻随气温变化的程度较大。

  频率特性：由于硅管具有较快的开关速度和较高频率响应，因此在高频电路中大范围的应用。相比之下，锗管的开关速度和频率响应较慢，适用于一些较低频率的应用。

  成本：由于硅材料大范围的应用于半导体工业，而锗成本比较高且使用较少，所以硅管的价格相对较低。

  需要根据具体的应用需求和性能要求来选择比较适合的二极管，无论是硅管还是锗管，在特定场合下都有各自的优势和用途。

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  的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---

  的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型，所以其结电容较小，工作频率较高。一般都采用

  开启电压约为0.1V。当正向电压足够大，超过开启电压后，内电场的作用被大大削弱，电流很快增加，

  约为0.1V，如图中OA（OA′）段。当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，

  均属由阳极和阴极构成的元器件，表示其本质功能和特性的项目基本相同。那么“究竟有

  两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的点的电压叫做死区电压或门槛电压（也称阈值电压），

  )的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝与半导体牢固地熔接在一起，三价金

  ,text_Q1NETiBAR2l0LUN1cGlkbw==,size_16,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16)贴片

  ）制成，是半导体器件中最基本的一种器件，是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件。 晶体

  在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。正常的情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常

  防反接，这种方式是最简单的防反接方法，成本也低，但是缺点也很明显。首先，

  0.2-0.3V左右。这在一些电源电压较小的应用中就不合适，比如锂电池供电，3.3V的系统

  以来就受到了用户的青睐和喜爱。然而，有时也会有傻傻分不清的时候，那么ASEMI肖特基

  少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受RC时间常数的限制。因此，它是一种理想的高频快速开关器件。 肖特基

  ?谢谢！[此贴子已经被作者于2009-3-10 17:19:59编辑过]

  时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等

  是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。肖特基

  时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等

  为0.150--0.300V。若显示 “0000”，说明管子已短路；若显示“过载”，说明

  的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。    反向电流与温度紧密关联，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

  的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结

  材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小

  长期连续工作时允许通过的最大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（

  时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等

  许多种类，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过

  的耐压能做到较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为没有办法迅速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁

  的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，

  特性坐标轴右上描述了正向特性。当U较小时，I依然等于0，这段电压叫做死区电压，这时

  一、半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如

  Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有

  ，基本功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS

  ，基本功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS

  的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将稳压

  主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路中；而在数字电路中则常被用于电平转移；在过电压电路中用于保护作用。

  的条件下会处于导通的状态，电压也不再升高，所以用在重要元器件上，起到稳压作用。稳压

  主要利用其反向击穿时U-I曲线很陡峭这个特性，所以它工作在反偏状态。肖特基

  我现在有一个48V的直流接触器，为保护电路中元器件，要在其线圈两端反接一个

  ，PN结整流管被称作结整流管，而金属-半导体整流管叫做肖特基整流管。肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，正向导通门限电压和正向压降都比PN结

  具有大约0.4V的低阈值电压，工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远低于电压约为1V

  之称。是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件。事实上，一个PN结就形成了一个

  晶体，然后把它突变成P型晶体，用玻璃或者塑料将结合的晶体封装。用这些结合在一起的硅片制

  在我们生活中是很常见的，比如说：商业的走字灯，交通灯，LED屏幕，LED灯泡等等。

  半导体材料做成的，半导体材料导电性能在常温下介于导体和绝缘体之间，一百多年前