随着DoE 六级能效及CoC V5Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子推出新一代精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案：PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%，效率高达87%，满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。

  六级能效12V3A适配器方案概述：PCBA尺寸：39.0mm*86.0mm输入电压：90~265Vac全电压输出功率：36W(Typical)平均效率：≥88.3%(满足CoC V5 Tier2六级能效要求)待机功耗：输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护，输出过流保护等PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用独特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。

  如何实现低待机功耗：PN8275内置850V 高压启动及放电模块，265Vac轻轻松松实现50mW待机功耗！怎么样提高转换效率：PN8308H内置80V/10mΩ 智能功率MOSFET，115Vac/230Vac平均效率大于92%！如何简化EMC设计：PN8275内置X电容放电模块，可通过增大X电容简化传导设计；PN8308H采用独特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压，改善辐射3dB以上！12V3A六级能效适配器方案亮点：输出规格：12V/3A内置 850V 高压模块实现 X 放电功能HV 脚可实现精确市电异常保护：OVP、Brown in/out高压启动+多工作模式+同步整流技术，满足 CoC V5 Tier 2、

  DCM模式同步整流虽然技术成熟，但应用场合一般受限于小功率充电器，CCM模式同步整流支持任何模式原边芯片，因此应用功率更大、应用场合更广，PN8308因外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片，被大范围的应用于12V2A-12V3A六级能效适配器

  关键字：适配器引用地址：PN8275+PN8308H六级能效12V3A适配器方案

  Hosiden选择Dialog为其日本领先移动通信供应商提供的适配器降低BOM成本和缩小尺寸。 中国北京，2018年3月21日 – 高度集成电源管理、AC/DC电源转换、充电和蓝牙低功耗技术供应商Dialog半导体公司（德国证券交易所交易代码：DLG）日前宣布，公司已向日本领先移动电子设备电源适配器制造商Hosiden公司批量提供Dialog的USB PD芯片组。该芯片组用在Hosiden为日本一家领先的移动通信供应商设计的兼容USB PD型号为CBC2153的电源适配器。Dialog在智能手机电源适配器AC/DC快充IC市场拥有超过60%以上市场占有率，此次合作再次证明了公司在电源转换市场的领导地位。 Hosiden

  交流-直流（AC-DC）电源适配器的应用十分普遍，如用于笔记本电脑、液晶显示器及打印机等。这些电源适配器长时间处于空载待机模式，而且使用量巨大，由此带来非常大的电能损耗。美国“能源之星”标准对这类外部电源（EPS）的空载能耗有明确要求，即功率50 W以下的AC-DC EPS空载能耗不超过0.3 W；功率介于50 W至250 W的AC-DC EPS空载能耗则要不超过0.5 W。目前，市场上较佳性能的AC-DC适配器最佳空载能耗性能是30 mW左右。而最新适配要求是空载能耗低于30 mW，这就要求降低输出电压（Vout），以减少空载寄生能耗；还要允许关闭初级端控制器，以逐步降低能耗。这样一来，在空载期间，适配器输出电压可自动降低，输出

  方案 /

  其实我们生活中 电源适配器 无处不在，手机、 电脑 、平板、电瓶车、手电等等东都需要用到这样的 适配器 ，其型号较多，而且功率不同，虽然有一些是可以通用的，但是正常的情况下还是要依据情况来使用特殊的适配器。这类产品在市场上也有较多的类型和品牌，消费的人在选择的时候一般都应该要依据自己的需求来来挑选，或者是让商家直接来让我们进行推荐，这样也可以快速的完成购买，不可能影响到我们日常的使用。但是如果挑选到的适配器质量不佳，那么不仅是浪费了适配器的费用，有可能让其他电子科技类产品受损。所以一定要认真选择正真适合的品牌，而且要了解一些挑选技巧。 第一，明确自己的需求。正常的情况下我们都是在自己使用的产品发生故障的时候才会想着要购买 开关电源 适配器

  Cadence针对Palladium Z1仿真平台发布VirtualBridge

  楷登电子(美国Cadence公司，NASDAQ: CDNS)今日正式对外发布全新VirtualBridge™适配器。较传统RTL仿真，基于虚拟仿真技术的VirtualBridge™适配器能加速硅前验证阶段的软件初启。下面就随手机便携小编共同来了解一下相关联的内容吧。 同时，VirtualBridge适配器与传统在线(In-Circuit)仿真应用模式互为补充，通过Cadence® Palladium® Z1企业级仿真平台，可以让软件设计师提前3个月开始做硅前软件验证工作。 VirtualBridge适配器是Palladium Z1平台提供的增值软件，通过扩展客户应用模式来实现硬件的最大获益。工程师可以与外围设备做虚拟交互，在没有物

  随着技术的逐步的提升，激烈的市场之间的竞争和政府部门的严格监督管理，一些生产规模小、技术条件差、生产设备落后、缺乏技术力量的小企业正逐步被淘汰，大中型企业的比例逐年提高。但在我国现阶段 电源适配器 的生产企业仍以小企业为主，甚至还存在一些手工作坊式的地下加工厂，这一些企业生产的产品质量状况令人担忧，在近几年国家检验检疫总局和信息产业部组织的监督抽查中，企业合格率均小于80%，主要存在以下一些质量上的问题： 1.产品的标记不齐全或不规范 标记应包含指导使用者正确安装、使用的重要信息，正确标示产品的标记是确保使用者人身财产安全的基本的措施之一。标记要求耐久和醒目，在经过正常使用后标记不应脱落，内容应该清洗可辨。国内销售的产品要求用

  随着技术的发展，电脑CPU的工作频率慢慢的升高，其信息处理能力及各方面功能越来越强，这样就要求为之供电的适配器功率相应较大。目前DELL等公司已为其生产销售的移动PC、笔记本电脑，向电源生产商提出了150W甚至200W适配器的供货要求。对于如此大功率适配器，从安全角度考虑，要求适配器的密封性能要好；为便于携带，同时又希望适配器的体积小。但这些要求却不利于适配器的散热（由于损耗所产生的热量），为此一定要采用高效率、低损耗的解决办法。 针对下一代大功率笔记本电脑适配器，本文提出了一种高效率的拓扑结构，并分析研究了其电路工作原理，最后给出了电路参数的选取方法和实验结果。 2 工作原理 笔记本电脑适配器是一种高质量直流输出电源，一

  电源适配器大范围的应用于笔记本电脑、游戏机、打印机、DSL调制解调器和手机等领域，应用规模非常庞大。而从人们的使用习惯来看，这些设备也有相当比例的时间处于轻载或待机(空载)工作模式。因此，“能源之星”等规范标准在致力于提升这些设备所用电源适配器工作能效的同时，也注重提升轻载能效及降低待机能耗。 例如，美国环保署(EPA) 2.0版“能源之星”外部电源规范(简称EPA 2.0)在1.1版基础上进一步提升了能效要求(见表1)，其中Ln为额定输出功率的自然对数。 表1：美国环保署“能源之星”外部电源的1.1及2.0版规范。 不同适配器的功率等级相差较大，而根据IEC61000-3-2等标准的要求，功率大于75 W的电源需要

  设计及应用解 /

  英特尔(INTEL)渴望扩大其在数字家庭领域中的作用，这点在2006年春季英特尔开发商论坛(IDF)上已表露无疑。英特尔今年夏天已经推出面向娱乐PC的新型Viiv平台技术，而且该平台与所谓的数字媒体适配器(DMA)捆绑在一起。中国将是Viiv的主要市场，Viiv技术的推广情况需要我们来关注。 具体而言，DMA使人们能在PC与立体声系统和电视之间搭起有线)桥梁。目标是使采用英特尔器件的PC成为消费电子和大众娱乐市场的中心，这中间还包括中国市场。 去年英特尔收购了Oplus和Zarlink，而且可能继续积极收购。它的资金不会成为问题。 根据英特尔的数字家庭娱乐策略，显然该公司正在追求在新产品生态系统中的

  超高效率，超小尺寸带USB Type-C PD的65W适配器方案设计介绍

  2024年4月3日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 紧跟潮流，通过内容丰富的沉浸式 ...

  4月3日消息，据新闻媒体报道，由于Exynos效能始终和高通有差距，三星将继续采用双处理器策略，高通骁龙处理器仍将在S25系列上出现。此前有报道 ...

  AP2905 是一款高效率同步降压稳压器，在 6 V ~ 40 V 宽输入范围内可提供 0 7 A 输出电流。固定5 V输出版本可节省 2个分压电阻 ...

  PN8370M+PN8306M小体积5v2a充电器方案因其节省外围、稳定性很高、功能齐全、深受工程师青睐，在市场得到了广泛应用。PN8370M是一款高性能的原 ...

  PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件超 ...

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