双向可控硅的伏安特性曲线，将此图与单向可控硅特性曲线比较，可看出双向可控硅的特性曲线与单向可控硅相似，仅仅双向可控硅正负电压均能导通，所以第三象限曲线与榜首象限曲线相似，故双向可控硅可视为两个单向可控硅反相并联，双向可控硅的A、一A的击穿电压也不同，即可看出正负半周的电压皆可以使双向可控硅导通。一般使双向可控硅截止的办法与单向可控硅相同，即设法下降两阳极间的

  双向可控硅的相位操控与单向可控硅很相似，但因双向可控硅能双导游通，在正负半周均能触发，可作为全波功率操控之用。因而双向可控硅除具有单向可控硅的长处，更便利沟通功率操控。右图(a)为双向可控硅相位操控电路

  电子技能中，常把沟通电的半个周期定为180°，称为电视点。这样，在沟通电的正、负半周，从规则时间(一般为零值)，开端到触发脉冲到来瞬间所阅历的电视点称为操控角αz晶闸管导通期间所对应的电视点叫导通角0。在右图(a)中，恰当调整触发电路的RC时间常数即可改动它的操控角。右图(b)(c)分别是操控角为30°和导通：角150°时的UAi-z及负载的电压波形。一般双向可控硅所能操控的负载远比单向可控硅小，大体上而言约在600 V，40A以下。

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